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村田硅電容器和貼片電容特性有什么不同?

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  • 出色的高頻特性
  • 較高的溫度特性(與HiK的MLCC相比)
  • 極低的偏置特性(與HiK的MLCC相比)
  • 很高的可靠性
  • 低背化

還有一個(gè)優(yōu)勢(shì)是,硅電容可以做得更小更薄,標(biāo)準(zhǔn)化的硅電容可以做到100微米,定制化的可以做到40~50微米。還有值得注意的是硅電容是沒(méi)有極性的。

硅電容器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
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