場效應晶體管(Field EffectTransistor縮寫(FET))簡稱或者場效應管。貼片電容可分為無極性和有極性兩類，無極性電容下述兩類封裝最為常見，即0805、0603；而有極性電容也就是我們平時所稱的電解電容，一般我們平時用的最多的為鋁電解電容，由于其電解質為鋁，所以其溫度穩(wěn)定性以及精度都不是很高，而貼片元件由于其緊貼電路版，所以要求溫度穩(wěn)定性要高。也稱為一個單極型晶體管。它屬于不同電壓進行控制型半導體電子器件。具有中國輸入輸出電阻高(108～109Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)管理范圍大、易于實現集成、沒有得到二次發(fā)生擊穿實驗現象、安全教育工作發(fā)展區(qū)域寬等優(yōu)點，現已逐漸成為雙極型晶體管和功率以及晶體管的強大市場競爭者。場效應管分為結型場效應管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOS管)兩大類。

與雙極晶體管相比，其具有以下特征

(1) FET 是一種電壓控制器件， VGS 控制 ID;

(2)場效應管的輸入電流很小，因此其輸入電阻很大;

(3)它是可以利用企業(yè)多數載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性具有較好;

(4)它組成的放大系統(tǒng)電路的電壓進行放大系數要小于三極管組成部分放大控制電路的電壓信號放大系數;

(5)場效應晶體管具有較強的抗輻射能力;

(6)由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

場效應管與普通產品晶體納米管有何異同

FET 是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。當信號源允許的電流較小時，應使用場效應晶體管; 當信號電壓較低且信號源允許的電流較大時，應使用場效應晶體管。場效應晶體管(FET)是一種利用大多數載流子導電的雙極性器件，因此被稱為單極性器件。

場效應管的優(yōu)點

場效應晶體管(FET)是一種單極半導體器件，其中電場效應控制著電流的大小。它具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等優(yōu)點。它被用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路。場效應器件以其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強等優(yōu)點逐漸取代了集成電路中的晶體管。但它仍然很脆弱，雖然現在大多數都有內置的保護二極管，但很少注意，也會受到損壞。所以在你的申請中要小心。

主要作用

1.FET可用于放大。由于FET放大器的輸入阻抗很高，耦合電容的容量可以很小，所以不需要使用電解電容。

2.場效應管很高的輸入輸出阻抗具有非常適合作交流阻抗進行變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3.場效應管可以直接用作一個可變電阻。

4. 場效應管可以方便地用作恒流源。

場效應管可用作電子開關。